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磷化铟晶圆( InP Wafer)

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三氧化二硼,高纯度B2O3( High purity Diboron Trioxide (B2O3)

三氧化二硼,高纯度B2O3( High purity Diboron Trioxide (B2O3) (Diboron Trioxide (B2O3))

化合物半导体 InP, GaP, GaAs.InAs 单晶成长法(VGF / VB / LEC)用高纯度B2O3 氧化二硼 (B2O3) 由高纯度硼酸生产。它用于 InP, GaAs 生产。但客户也有需求,他们使用 LEC 和/或 VGF 方法处理 GaP 和/或 InAs 晶体生长工艺。三氧化二硼 (B2O3) 由高纯度硼酸生产。它用于 GaAs ...

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