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磷化銦晶圓( InP Wafer)

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三氧化二硼,高純度B2O3( High purity Diboron Trioxide (B2O3)

三氧化二硼,高純度B2O3( High purity Diboron Trioxide (B2O3) (Diboron Trioxide (B2O3))

化合物半導體 InP, GaP, GaAs.InAs 單晶成長法(VGF / VB / LEC)用高純度B2O3 氧化二硼 (B2O3) 由高純度硼酸生產。它用於 InP, GaAs 生產。但客戶也有需求,他們使用 LEC 和/或 VGF 方法處理 GaP 和/或 InAs 晶體生長工藝。三氧化二硼 (B2O3) 由高純度硼酸生產。它用於 GaAs ...

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